ТЕХНОЛОГИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВИТЕ ПРИБОРИ И ИНТЕГРАЛНИ СХЕМИ I част
Вид на курса: задължителен, редовно		Ниво на курса: бакалавър		Година: 4
Семестър: 7	Брой кредити: 4
Цел на курса: Дисциплината е фундаментален специализиращ курс, който запознава студентите с основните технологични операции при производството на дискретни полупроводникови елементи и интегрални схеми.
Необходими условия: 1). Усвояването на тези знания е тясно свързано с широк кръг дисциплини, четени преди тази: химия и физика на твърдото тяло, материалознание (общо и частно), физика и електроника, математика и физикохимия, химия и физикохимия на полупроводниковите материали и др. 2).За провеждането на лекционния курс са необходими: лекционна зала с шрайбпроектор или мултимедийно оборудване и лаборатория с необходимото оборудване за провеждане на упражнения.
Съдържание на курса: Разглеждат се методите за обработка на полупроводникови материали и структури, методите за получаване на тънки слоеве с различно предназначение, основните методи за формиране на Р-N, N-N^+ и Р-Р^+ - структури (сплавяне, дифузия, йонна имплантация, епитаксия, термично изпарение и йонноплазмено разпрашване), фотохимичните процеси (фотолитография), както и новите литографски методи. Включени са въпроси, свързани със създаването на омови контакти, защитата на Р - N преходите, монтажа и крайния технологичен контрол. Упражненията по дисциплината създават практически умения за използване на теоретичните знания по химична обработка на силициеви пластини, дифузия, термично окисление, фотолитография, отлагане на различни по химичен състав слоеве и математическо моделиране на технологичен процес от производството на полупроводникови електронни елементи и интегрални схеми, с което се дава цялостна представа за производството на полупроводниковите прибори.
Препоръчителна литература: 1. С.Карбанов, Технология на активните електронни елементи, Техника, С., 1979. 2.Т.М.Рачева-Стамболиева, Технологични основи на микроелектрониката, Печ.МНП, С., 1991. 3. Т.Рачева, Е.Градинарска, Ръководство за упражнения по химикотехнологични основи на микроелектрониката, Печ.МНП, С., 1985. 4. С.Зи, Физика полупроводниковых приборов, т.1,2, Мир, М., 1984. 5. С.Зи, Технология СБИС, т.1,2, Мир, М., 1986. 6. А.И.Курносов и др., Технология производства полупроводниковых приборов, Высшая школа, М., 1986. 7. А.И.Курносов, В.В.Юдин, Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, Высшая школа, М.,1986. 8. В.Н.Черняев, Физико-химические процессы в технологии РЭА, Высшая школа, М., 1987. 9. И.Броудай, Дж.Мерей, Физические основы микротехнологии, Мир. М., 1985. 10. О.И.Бочкин и др., Механическая обработка полупроводниковых материаллов, Высшая школа, М., 1983. 11. Б.Д.Луфт и др., Физико-химические методиы обработки поверхности полупроводников, Радио и связь, М., 1982. 12. Г.Ф.Ивановский, В.И.Петров, Йонно-плазменная обработка материаллов, Радио и связь, М., 1986. 13. Х.Риссел, И.Руге, Йонная имплантация, Наука, М., 1983. 14. Плазменная технология в производстве СБИС, Под ред. Н.Айнспрука и Д.Браунс, Мир., М., 1987. 15. А.Ю.Бер и др., Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, Высшая школа, М., 1977. 16. Ю.А.Копцевой, Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов, Энергия, М., 1973. 17. Технология тонких пленок, Справочник, под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга, Советское радио, М., 1977.
Методи на преподаване: Лекции, лабораторни упражнения.			Методи на оценяване: Писмен и устен изпит.
Кредити по видове дейност: Аудиторна заетост: 2,0 к. Извънаудиторна заетост: 2,0 к.